DH009N02P Todos los transistores

 

DH009N02P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH009N02P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 123 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1386 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm

Encapsulados: PPAK5X6-8

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DH009N02P datasheet

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DH009N02P

DH009N02P 220A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description The N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 20V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 220A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching L

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DH009N02P

DH009N02/DH009N02F/DH009N02I DH009N02E/DH009N02B/DH009N02D 310A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 20V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 1.35m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 310A D 2 Features Low on res

Otros transistores... DATD063N06N , DATP057N06N , DH009N02 , DH009N02B , DH009N02D , DH009N02E , DH009N02F , DH009N02I , IRFP260N , DH012N03 , DH012N03B , D12N06 , D18N20 , D25N10 , D5N65-XAD , D630 , D640 .

 

 

 

 

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