D9N65 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

D9N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: D9N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: TO252

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D9N65 datasheet

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D9N65 9A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-aligned V DSS = 650V planar technology which reduce the conduction loss, improve switching I = 9.0A D performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. TO-220F provides insulation voltage rated at 2000V R DS(on) TYP) =1.

0.1. Size:1352K st
std9n65m2 stf9n65m2 stp9n65m2 stu9n65m2.pdf pdf_icon

STD9N65M2, STF9N65M2, STP9N65M2, STU9N65M2 N-channel 650 V, 0.79 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB RDS(on) Order codes VDS max ID 3 1 DPAK STD9N65M2 3 2 1 STF9N65M2 650 V 0.9 5 A STP9N65M2 TO-220FP TAB STU9N65M2 TAB Extremely low gate charge 3 2 Excellent output capacit

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