DH105N07F Todos los transistores

 

DH105N07F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH105N07F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 174 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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DH105N07F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1152K  cn wxdh
 dh105n07 dh105n07f dh105n07i dh105n07e dh105n07b dh105n07d.pdf pdf_icon

DH105N07F

DH105N07/DH105N07F/DH105N07I/DH105N07E/DH105N07B/DH105N07D60A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 68VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 10.5mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 60AD2 Features Low on resi

 6.1. Size:737K  cn wxdh
 dh105n07p.pdf pdf_icon

DH105N07F

DH105N07P56A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 70VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 10mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 56AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Otros transistores... DH100P70 , DH100P70E , DH100P70F , DH100P70I , DH105N07 , DH105N07B , DH105N07D , DH105N07E , CS150N03A8 , DH105N07I , DH105N07P , DH4N150B , DH4N150F , DH500P06R , DH50N06FZC , DH50N15 , DH60N06 .

History: HGN095NE4SL | IXFH36N60P | AM3490N | STFI13NM60N | APT20M120JCU2 | CS3N70F | AOI296A

 

 
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