DH80N08B22 Todos los transistores

 

DH80N08B22 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH80N08B22
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 145 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 292 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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DH80N08B22 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1310K  cn wxdh
 dh80n08b22 dhf80n08b22 dhi80n08b22 dhe80n08b22 dhb80n08b22 dhd80n08b22.pdf pdf_icon

DH80N08B22

DH80N08B22/DHF80N08B22/DHI80N08B22/DHE80N08B22/DHB80N08B22/DHD80N08B2280A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 6.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 80A3 S D2 Features

Otros transistores... DH4N150F , DH500P06R , DH50N06FZC , DH50N15 , DH60N06 , DH8004 , DH8004B , DH8004D , IRF830 , DH8290 , DH850N10 , DH850N10B , DH850N10D , DH850N10E , DH850N10F , DH150N12 , DH150N12B .

History: SFG08S10DF | STP2NK90Z | IPB011N04L | IRF6646 | AP60SL280AI | TSM4425CS | AP60N2R5IN

 

 
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