DH8290 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH8290

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 82 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO220

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DH8290 datasheet

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 dh8290 dhf8290 dhi8290 dhe8290 dhb8290 dhd8290.pdf pdf_icon

DH8290

DH8290/DHF8290/DHI8290/ DHE8290/DHB8290/DHD8290 70A 82V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 82V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 9.5m DS(on) (Type) G standard. 1 I = 70A D 3 S 2 Features Fast switching Hig

Otros transistores... DH500P06R, DH50N06FZC, DH50N15, DH60N06, DH8004, DH8004B, DH8004D, DH80N08B22, IRFZ48N, DH850N10, DH850N10B, DH850N10D, DH850N10E, DH850N10F, DH150N12, DH150N12B, DH150N12D