DH8290 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DH8290
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 82 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de DH8290 MOSFET
DH8290 Datasheet (PDF)
dh8290 dhf8290 dhi8290 dhe8290 dhb8290 dhd8290.pdf

DH8290/DHF8290/DHI8290/DHE8290/DHB8290/DHD829070A 82V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 82VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 9.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 70AD3 S2 Features Fast switching Hig
Otros transistores... DH500P06R , DH50N06FZC , DH50N15 , DH60N06 , DH8004 , DH8004B , DH8004D , DH80N08B22 , RU7088R , DH850N10 , DH850N10B , DH850N10D , DH850N10E , DH850N10F , DH150N12 , DH150N12B , DH150N12D .
History: SSF3420 | 2SK3109 | BUZ221 | BLP03N08-B | JCS7N65BE | TPC8211 | PSMN2R9-30MLC
History: SSF3420 | 2SK3109 | BUZ221 | BLP03N08-B | JCS7N65BE | TPC8211 | PSMN2R9-30MLC



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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