DH8290 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DH8290
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 82 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de DH8290 MOSFET
DH8290 Datasheet (PDF)
dh8290 dhf8290 dhi8290 dhe8290 dhb8290 dhd8290.pdf

DH8290/DHF8290/DHI8290/DHE8290/DHB8290/DHD829070A 82V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 82VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 9.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 70AD3 S2 Features Fast switching Hig
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History: 2SJ125 | FDD6N50TF | NVMFD5C650NL | IRFU420B | UM6K31N
History: 2SJ125 | FDD6N50TF | NVMFD5C650NL | IRFU420B | UM6K31N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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