Справочник MOSFET. DH8290

 

DH8290 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH8290
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DH8290

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH8290 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1259K  cn wxdh
 dh8290 dhf8290 dhi8290 dhe8290 dhb8290 dhd8290.pdf pdf_icon

DH8290

DH8290/DHF8290/DHI8290/DHE8290/DHB8290/DHD829070A 82V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 82VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 9.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 70AD3 S2 Features Fast switching Hig

Другие MOSFET... DH500P06R , DH50N06FZC , DH50N15 , DH60N06 , DH8004 , DH8004B , DH8004D , DH80N08B22 , RU7088R , DH850N10 , DH850N10B , DH850N10D , DH850N10E , DH850N10F , DH150N12 , DH150N12B , DH150N12D .

History: IXFX230N20T | SWP9N25D | IXFQ94N30P3 | 2SK2926S | HY8N50T | SIA913ADJ | TPM603NT3

 

 
Back to Top

 


 
.