DH850N10 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

DH850N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH850N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO220

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DH850N10 datasheet

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dh850n10 dh850n10f dh850n10i dh850n10e dh850n10b dh850n10d.pdf pdf_icon

DH850N10/DH850N10F/DH850N10I DH850N10E/DH850N10B/DH850N10D 15A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 86m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S ID =15A 2 Features Low on resistan

0.1. Size:791K cn wxdh
dh850n10b dh850n10d.pdf pdf_icon

DH850N10B/DH850N10D 12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 86m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S ID =12A 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switch

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