DH850N10B Todos los transistores

 

DH850N10B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH850N10B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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DH850N10B Datasheet (PDF)

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DH850N10B

DH850N10/DH850N10F/DH850N10IDH850N10E/DH850N10B/DH850N10D15A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 86mDS(on) (TYP)standard.13 SID =15A2 Features Low on resistan

 ..2. Size:791K  cn wxdh
 dh850n10b dh850n10d.pdf pdf_icon

DH850N10B

DH850N10B/DH850N10D12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 86mDS(on) (TYP)standard.13 SID =12A2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switch

Otros transistores... DH50N15 , DH60N06 , DH8004 , DH8004B , DH8004D , DH80N08B22 , DH8290 , DH850N10 , P0903BDG , DH850N10D , DH850N10E , DH850N10F , DH150N12 , DH150N12B , DH150N12D , DH150N12E , DH150N12F .

History: 2SK2473-01 | AFP1303 | CS3N80BU | HMS28N65D | AO4710 | HFP5N60F

 

 
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