DH150N12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DH150N12
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de DH150N12 MOSFET
DH150N12 Datasheet (PDF)
dh150n12 dh150n12f dh150n12i dh150n12e dh150n12b dh150n12d.pdf

DH150N12/DH150N12F/DH150N12IDH150N12E/DH150N12B/DH150N12D50A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 120VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 15.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 50AD2 Features Low on res
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History: IRFS730B | FC4B22070L | 18P10E | CST30N10P
History: IRFS730B | FC4B22070L | 18P10E | CST30N10P



Liste
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MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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