Справочник MOSFET. DH150N12

 

DH150N12 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH150N12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DH150N12

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH150N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1329K  cn wxdh
 dh150n12 dh150n12f dh150n12i dh150n12e dh150n12b dh150n12d.pdf pdf_icon

DH150N12

DH150N12/DH150N12F/DH150N12IDH150N12E/DH150N12B/DH150N12D50A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 120VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 15.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 50AD2 Features Low on res

Другие MOSFET... DH8004D , DH80N08B22 , DH8290 , DH850N10 , DH850N10B , DH850N10D , DH850N10E , DH850N10F , EMB04N03H , DH150N12B , DH150N12D , DH150N12E , DH150N12F , DH150N12I , DH160P03V , DH160P04D , DH16N06 .

History: VSO008N10MS | IPA040N06N | DM4N65E | PHP9N60E | SIL2623 | AP2762R-A-HF | AP60WN1K2IN

 

 
Back to Top

 


 
.