DH150N12B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH150N12B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO251

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DH150N12B datasheet

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 dh150n12 dh150n12f dh150n12i dh150n12e dh150n12b dh150n12d.pdf pdf_icon

DH150N12B

DH150N12/DH150N12F/DH150N12I DH150N12E/DH150N12B/DH150N12D 50A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 120V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 15.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 50A D 2 Features Low on res

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