DH150N12F Todos los transistores

 

DH150N12F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH150N12F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

DH150N12F Datasheet (PDF)

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 dh150n12 dh150n12f dh150n12i dh150n12e dh150n12b dh150n12d.pdf pdf_icon

DH150N12F

DH150N12/DH150N12F/DH150N12IDH150N12E/DH150N12B/DH150N12D50A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 120VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 15.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 50AD2 Features Low on res

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK1279 | IRL3714LPBF

 

 
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