Справочник MOSFET. DH150N12F

 

DH150N12F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH150N12F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 125 nC
   trⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH150N12F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1329K  cn wxdh
 dh150n12 dh150n12f dh150n12i dh150n12e dh150n12b dh150n12d.pdf pdf_icon

DH150N12F

DH150N12/DH150N12F/DH150N12IDH150N12E/DH150N12B/DH150N12D50A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 120VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 15.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 50AD2 Features Low on res

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HAT2210R | P0804BD

 

 
Back to Top

 


 
.