DH16N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DH16N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 123 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 607 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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DH16N06 Datasheet (PDF)
dh16n06 dhf16n06 dhi16n06 dhe16n06 dhb16n06 dhd16n06.pdf

DH16N06/DHF16N06/DHI16N06/DHE16N06/DHB16N06/DHD16N0661A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel Enhanced VDMOSFETs Used by the2 DVDSS = 60Vself-aligned planar technology which reduce theconduction loss, improve switching performance andRDS = 16m(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard. ID = 61A3
Otros transistores... DH150N12 , DH150N12B , DH150N12D , DH150N12E , DH150N12F , DH150N12I , DH160P03V , DH160P04D , 5N50 , DH170P04V , DH1K1N10 , DH1K1N10B , DH1K1N10D , DH1K1N10E , DH1K1N10F , DH1K1N10I , DH300N08 .
History: CS4N65A4TDY | LSGE10R080W3 | SPP80N05L | TD422BL | FMV10N80E | HUF75831SK8T | FDM100-0045SP
History: CS4N65A4TDY | LSGE10R080W3 | SPP80N05L | TD422BL | FMV10N80E | HUF75831SK8T | FDM100-0045SP



Liste
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MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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