DH1K1N10E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH1K1N10E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: TO263

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DH1K1N10E datasheet

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 dh1k1n10 dh1k1n10f dh1k1n10i dh1k1n10e dh1k1n10b dh1k1n10d.pdf pdf_icon

DH1K1N10E

DH1K1N10/DH1K1N10F/DH1K1N10I DH1K1N10E/DH1K1N10B/DH1K1N10D 12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 112m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S ID =12A 2 Features Low on resista

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