DH3N90 Todos los transistores

 

DH3N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH3N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de DH3N90 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DH3N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1394K  cn wxdh
 dh3n90 dhf3n90 dhi3n90 dhe3n90 dhb3n90 dhd3n90.pdf pdf_icon

DH3N90

DH3N90/DHF3N90/DHI3N90/DHE3N90/DHB3N90/DHD3N903A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the2 DV = 900VDSSself-aligned planar technology which reduce theconduction loss, improve switching performance andR = 4.7DS(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard.I = 3

Otros transistores... DH300P06 , DH300P06B , DH300P06D , DH300P06E , DH300P06F , DH300P06I , DH300P06L , DH3205A , IRFB4227 , DH100N03B13 , DH100N06 , DH100P18 , DH100P18B , DH100P18D , DH100P18E , DH100P18F , DH100P18I .

History: AON5820 | HGI110N08A | CED02N6A | CJS2019 | DH026N06 | BUK9E08-55B | ZXMP6A13FQ

 

 
Back to Top

 


 
.