Справочник MOSFET. DH3N90

 

DH3N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH3N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DH3N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH3N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1394K  cn wxdh
 dh3n90 dhf3n90 dhi3n90 dhe3n90 dhb3n90 dhd3n90.pdf pdf_icon

DH3N90

DH3N90/DHF3N90/DHI3N90/DHE3N90/DHB3N90/DHD3N903A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the2 DV = 900VDSSself-aligned planar technology which reduce theconduction loss, improve switching performance andR = 4.7DS(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard.I = 3

Другие MOSFET... DH300P06 , DH300P06B , DH300P06D , DH300P06E , DH300P06F , DH300P06I , DH300P06L , DH3205A , IRFB4227 , DH100N03B13 , DH100N06 , DH100P18 , DH100P18B , DH100P18D , DH100P18E , DH100P18F , DH100P18I .

History: ZXMN3B14FTA | SVF4N65RM | HUFA75645P3

 

 
Back to Top

 


 
.