FQS4900 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQS4900  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60(300) V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3(0.3) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21(25) nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55(15.5) Ohm

Encapsulados: SOP8

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FQS4900 datasheet

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FQS4900

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQS4900 Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET General Description Features These dual N and P-channel enhancement mode power N-Channel 1.3A, 60V, RDS(on) = 0.55 @ VGS = 10 V field effect transistors are produced using Fairchild s RDS(on) = 0.65 @ VGS = 5 V proprietary, planar stripe, DMOS technology. P-Channel -0.3A, -300V, RDS(on) =

 8.1. Size:721K  fairchild semi
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FQS4900

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 400V DuaI N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.45A, 400V, RDS(on) = 4.2 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.8 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.0 pF) This advanced technology has b

 8.2. Size:734K  fairchild semi
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FQS4900

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 500V DuaI N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.37A, 500V, RDS(on) = 6.2 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.5 pF) This advanced technology has b

Otros transistores... FDMS7680, FQPF8N80C, FQD5N15, FQPF8N90C, FQPF9N25C, FQPF9N50CF, FQPF9N90C, FQPF9P25, IRFZ46N, FCI25N60N, FQS4901, FCP25N60N, FQS4903, FQT13N06, FQT13N06L, FQT1N60C, HUF76413DKF085