HY1708MF-VB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY1708MF-VB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0064 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de HY1708MF-VB MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HY1708MF-VB datasheet

 ..1. Size:224K  1
 hy1708mf-vb.pdf pdf_icon

HY1708MF-VB

HY1708MF-VB www.VBsemi.com Disclaimer All products due to improve reliability, function or design or for other reasons, product specifications and data are subject to change without notice. Taiwan VBsemi Electronics Co., Ltd., branches, agents, employees, and all persons acting on its or their representatives (collectively, the "Taiwan VBsemi"), assumes no responsibility for any er

 9.1. Size:6931K  hymexa
 hy1707.pdf pdf_icon

HY1708MF-VB

HY1707P/M/B/I/MF/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description Features 70V/80A, RDS(ON)= 6m (typ.) @ VGS=10V S Avalanche Rated D S D G G S Reliable and Rugged S D D G G TO-263-2L TO-262-3L Lead Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-220FB-3S (RoHS Compliant) S D G S D S D G G Applications TO-3PS-3L TO-3PS-3M TO-220MF-3L D Power Man

Otros transistores... DH025N03F, DH025N03I, DH025N04, DH025N04B, DH025N04D, DH025N04E, DH025N04F, DH025N04I, CS150N03A8, PK6H6BA, QN3103M6N, DH135N10P, DH140N10B, DH140N10D, DH240N06L, DH240N06LB, DH240N06LD