PK6H6BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PK6H6BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
Búsqueda de reemplazo de PK6H6BA MOSFET
PK6H6BA PDF Specs
pk6h6ba.pdf
N-Channel Enhancement Mode PK6H6BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 30V 7.8m 46A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. G... See More ⇒
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History: IRFP3207Z
History: IRFP3207Z
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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