PK6H6BA Todos los transistores

 

PK6H6BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK6H6BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PK6H6BA Datasheet (PDF)

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PK6H6BA

N-Channel Enhancement Mode PK6H6BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 7.8m 46A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. G

Otros transistores... DH025N03I , DH025N04 , DH025N04B , DH025N04D , DH025N04E , DH025N04F , DH025N04I , HY1708MF-VB , IRFP450 , QN3103M6N , DH135N10P , DH140N10B , DH140N10D , DH240N06L , DH240N06LB , DH240N06LD , DH240N06LE .

History: MTP7N20 | IRF1104

 

 
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