PK6H6BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK6H6BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK6H6BA
PK6H6BA Datasheet (PDF)
pk6h6ba.pdf

N-Channel Enhancement Mode PK6H6BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 7.8m 46A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. G
Другие MOSFET... DH025N03I , DH025N04 , DH025N04B , DH025N04D , DH025N04E , DH025N04F , DH025N04I , HY1708MF-VB , IRFP450 , QN3103M6N , DH135N10P , DH140N10B , DH140N10D , DH240N06L , DH240N06LB , DH240N06LD , DH240N06LE .
History: JMTK085P04A | SSF20NS65F | JMH65R190AC | JMTK3006C | JMTK50P03A | JMPE34N20BJ | JMTK50P02A
History: JMTK085P04A | SSF20NS65F | JMH65R190AC | JMTK3006C | JMTK50P03A | JMPE34N20BJ | JMTK50P02A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MP20N40P | MP18N20 | MP180N06P | MP150N08P | MP11P20 | MLS65R580D | MLS65R380D | MLS60R380D | MDT9N20 | MDT7N65 | MDT70N03 | MDT60NF06D | MDT60N10D | MDT60N06D | MDT5N65 | MPG100N08P
Popular searches
b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139