Справочник MOSFET. PK6H6BA

 

PK6H6BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PK6H6BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PK6H6BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK6H6BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  1
 pk6h6ba.pdf pdf_icon

PK6H6BA

N-Channel Enhancement Mode PK6H6BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 7.8m 46A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. G

Другие MOSFET... DH025N03I , DH025N04 , DH025N04B , DH025N04D , DH025N04E , DH025N04F , DH025N04I , HY1708MF-VB , IRFP450 , QN3103M6N , DH135N10P , DH140N10B , DH140N10D , DH240N06L , DH240N06LB , DH240N06LD , DH240N06LE .

 

 
Back to Top

 


 
.