DH026N06B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DH026N06B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 238 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 255 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 685 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de DH026N06B MOSFET
DH026N06B Datasheet (PDF)
dh026n06 dh026n06f dh026n06i dh026n06e dh026n06d dh026n06b.pdf

DH026N06/DH026N06F/DH026N06I/DH026N06E/DH026N06D/DH026N06B238A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 2.6mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 238A3 S D2 Features Low on res
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History: DMN3010LFG | 2N5114 | DH033N04B | HM70N75D
History: DMN3010LFG | 2N5114 | DH033N04B | HM70N75D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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