DH029N08D Todos los transistores

 

DH029N08D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH029N08D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1030 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de DH029N08D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DH029N08D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1242K  cn wxdh
 dh029n08 dhi029n08 dhe029n08 dh029n08d dh029n08b.pdf pdf_icon

DH029N08D

DH029N08/DHI029N08/DHE029N08/DH029N08D/DH029N08B180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent2 DRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSV = 80VDSSstandard.G R = 2.9mDS(on) (Type)12 Features3 S I = 180AD Fast switching L

Otros transistores... DH028N03 , DH028N03B , DH028N03D , DH028N03E , DH028N03F , DH028N03I , DH029N08 , DH029N08B , 60N06 , DH100P28 , DH100P28B , DH100P28D , DH100P28E , DH100P28F , DH100P28I , DH100P30A , DH100P30AB .

History: PMN22XN | AFP3407S | BL9N20-P | DMP25H18DLFDE | 2SK880BL | APT22F80B | IRF3808

 

 
Back to Top

 


 
.