HUF76413DKF085 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HUF76413DKF085  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm

Encapsulados: SO8

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HUF76413DKF085 datasheet

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HUF76413DKF085

October 2010 HUFA76413DK8T_F085 N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 4.8A, 56m General Description These N-Channel power MOSFETs are manufactured us- Applications ing the innovative UltraFET process. This advanced pro- Motor and Load Control cess technology achieves the lowest possible on- resistance per silicon area, resulting in outstanding perfor- Powertr

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HUF76413DKF085

HUF76413P3 Data Sheet November 1999 File Number 4723.1 22A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.049 , VGS = 10V SOURCE - rDS(ON) = 0.056 , VGS = 5V DRAIN GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models - Spice and SABER Thermal Im

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