DH10H037R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH10H037R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 952 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO220

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DH10H037R datasheet

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DH10H037R

DH10H037R/DHF10H037R/ DHI10H037R/DHE10H037R 120A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power MOSFETS 2 D VDS = 100V Used advanced Splite Gate technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with RDS = 3.7m (on) (TYP) G the RoHS standard. 1 ID = 120A 3 S 2 Features Fast Switching Low

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DH10H037R

DH10H035R/DHF10H035R/ DHI10H035R/DHE10H035R 120A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 3.5m DS(on) (TYP) G standard. 1 I = 120A 3 S D 2 Features Fast switching

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