DH10H037R Todos los transistores

 

DH10H037R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH10H037R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 952 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

DH10H037R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1160K  cn wxdh
 dh10h037r dhf10h037r dhi10h037r dhe10h037r.pdf pdf_icon

DH10H037R

DH10H037R/DHF10H037R/DHI10H037R/DHE10H037R120A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power MOSFETS2 DVDS = 100VUsed advanced Splite Gate technology design, providedexcellent RDSON and low gate charge. Which accords withRDS = 3.7m(on) (TYP)Gthe RoHS standard.1ID = 120A3 S2 Features Fast Switching Low

 7.1. Size:1098K  cn wxdh
 dh10h035r dhf10h035r dhi10h035r dhe10h035r.pdf pdf_icon

DH10H037R

DH10H035R/DHF10H035R/DHI10H035R/DHE10H035R120A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced splite gate technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 3.5mDS(on) (TYP)Gstandard.1I = 120A3 S D2 Features Fast switching

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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