DH116N08I Todos los transistores

 

DH116N08I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH116N08I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 175 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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DH116N08I Datasheet (PDF)

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 dh116n08 dh116n08f dh116n08i dh116n08e dh116n08b dh116n08d.pdf pdf_icon

DH116N08I

DH116N08/DH116N08F/DH116N08I/DH116N08E/DH116N08B/DH116N08D49A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 11.6mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 49AD2 Features Low on resi

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History: VS3610AE | AP4511GM | 2SK606 | AM5922N | TSM4N80CZ | VBE1303 | AP02N60J-H

 

 
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