DHE8004 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHE8004

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1030 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de DHE8004 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DHE8004 datasheet

 ..1. Size:1237K  cn wxdh
 dh8004 dhi8004 dhe8004 dh8004d dh8004b.pdf pdf_icon

DHE8004

DH8004/DHI8004/DHE8004/ DH8004D/DH8004B 180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent 2 D Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS V = 80V DSS standard. G R = 2.8m DS(on) (Type) 1 2 Features 3 S I = 180A D Fast switching Low on resi

 9.1. Size:1310K  cn wxdh
 dh80n08b22 dhf80n08b22 dhi80n08b22 dhe80n08b22 dhb80n08b22 dhd80n08b22.pdf pdf_icon

DHE8004

DH80N08B22/DHF80N08B22/DHI80N08B22/ DHE80N08B22/DHB80N08B22/DHD80N08B22 80A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 80V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 6.5m DS(on) (Type) G standard. 1 I = 80A 3 S D 2 Features

Otros transistores... DH045N06E, DH045N06F, DH045N06I, DH060N03R, DH060N07B, DH060N07D, DHE50N06FZC, DHE50N15, IRFP450, DHE80N08B22, DHE8290, DHE85N08, DHE90N045R, DHE90N055R, DHE9Z24, DHESJ11N65, DHESJ13N65