DHE8004 Todos los transistores

 

DHE8004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHE8004
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1030 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de DHE8004 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DHE8004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1237K  cn wxdh
 dh8004 dhi8004 dhe8004 dh8004d dh8004b.pdf pdf_icon

DHE8004

DH8004/DHI8004/DHE8004/DH8004D/DH8004B180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent2 DRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSV = 80VDSSstandard.G R = 2.8mDS(on) (Type)12 Features3 S I = 180AD Fast switching Low on resi

 9.1. Size:1310K  cn wxdh
 dh80n08b22 dhf80n08b22 dhi80n08b22 dhe80n08b22 dhb80n08b22 dhd80n08b22.pdf pdf_icon

DHE8004

DH80N08B22/DHF80N08B22/DHI80N08B22/DHE80N08B22/DHB80N08B22/DHD80N08B2280A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 6.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 80A3 S D2 Features

Otros transistores... DH045N06E , DH045N06F , DH045N06I , DH060N03R , DH060N07B , DH060N07D , DHE50N06FZC , DHE50N15 , IRF1407 , DHE80N08B22 , DHE8290 , DHE85N08 , DHE90N045R , DHE90N055R , DHE9Z24 , DHESJ11N65 , DHESJ13N65 .

History: MDI5N40TH

 

 
Back to Top

 


 
.