DHE9Z24 Todos los transistores

 

DHE9Z24 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHE9Z24
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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DHE9Z24 Datasheet (PDF)

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 dh9z24 dhf9z24 dhi9z24 dhe9z24 dhb9z24 dhd9z24.pdf pdf_icon

DHE9Z24

DH9Z24/DHF9Z24/DHI9Z24DHE9Z24/DHB9Z24/DHD9Z2420A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhanced vdmosfets, used advancedV = -60VDSStrench technology and design, provide to excellentRdson with low gate charge. Which accords with theR =58.5mDS(on) (TYP)RoHS standard.I = -20AD2 Features Fast switching Low on resistance

Otros transistores... DHE50N06FZC , DHE50N15 , DHE8004 , DHE80N08B22 , DHE8290 , DHE85N08 , DHE90N045R , DHE90N055R , P0903BDG , DHESJ11N65 , DHESJ13N65 , DHESJ17N65 , DHEZ24B31 , DHF035N04 , DHF100N03B13 , DHF10H035R , DHS020N04D .

History: NCE8205I | FHF10N65A | AO4294 | SM1A18NSQG | 2SK1608

 

 
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