DHB8290 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHB8290  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 82 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO251

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DHB8290 datasheet

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DHB8290

DH8290/DHF8290/DHI8290/ DHE8290/DHB8290/DHD8290 70A 82V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 82V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 9.5m DS(on) (Type) G standard. 1 I = 70A D 3 S 2 Features Fast switching Hig

Otros transistores... DHS020N88U, DHS021N04, DHS021N04B, DHS021N04D, DHS021N04E, DHS021N04P, DHS022N06, DHS022N06E, FTP08N06A, DHB90N03B17, DHB90N045R, DHB9Z24, DHBSJ11N65, DHBSJ13N65, DHBSJ5N65, DHBSJ7N65, DHBZ24B31