DHB8290 Todos los transistores

 

DHB8290 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHB8290
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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DHB8290 PDF Specs

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 dh8290 dhf8290 dhi8290 dhe8290 dhb8290 dhd8290.pdf pdf_icon

DHB8290

DH8290/DHF8290/DHI8290/ DHE8290/DHB8290/DHD8290 70A 82V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 82V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 9.5m DS(on) (Type) G standard. 1 I = 70A D 3 S 2 Features Fast switching Hig... See More ⇒

Otros transistores... DHS020N88U , DHS021N04 , DHS021N04B , DHS021N04D , DHS021N04E , DHS021N04P , DHS022N06 , DHS022N06E , IRF830 , DHB90N03B17 , DHB90N045R , DHB9Z24 , DHBSJ11N65 , DHBSJ13N65 , DHBSJ5N65 , DHBSJ7N65 , DHBZ24B31 .

 

 
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