DHF9Z24 Todos los transistores

 

DHF9Z24 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHF9Z24
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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DHF9Z24 PDF Specs

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 dh9z24 dhf9z24 dhi9z24 dhe9z24 dhb9z24 dhd9z24.pdf pdf_icon

DHF9Z24

DH9Z24/DHF9Z24/DHI9Z24 DHE9Z24/DHB9Z24/DHD9Z24 20A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These P-channel enhanced vdmosfets, used advanced V = -60V DSS trench technology and design, provide to excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the R =58.5m DS(on) (TYP) RoHS standard. I = -20A D 2 Features Fast switching Low on resistance ... See More ⇒

Otros transistores... DHF3N90 , DHF50N06FZC , DHF50N15 , DHF80N08B22 , DHF8290 , DHF85N08 , DHF90N045R , DHF90N055R , IRLZ44N , DHFSJ11N65 , DHFSJ13N65 , DHFSJ17N65 , DHFSJ5N65 , DH060N08 , DH060N08B , DH060N08D , DH060N08E .

History: VBFB1208N

 

 
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