DHP150N03 Todos los transistores

 

DHP150N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHP150N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 53.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 356 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DHP150N03 Datasheet (PDF)

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 dhp150n03.pdf pdf_icon

DHP150N03

DHP150N03100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDHP150N03 Is N-channel enhanced vdmosfet used2 DV = 35VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with theR = 3.6mDS(on) (TYP)GRoHS standard.1I = 100AD3 S2 Features Fast switching Low on resistance(Rdson5.5m) Low gate

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