Справочник MOSFET. DHP150N03

 

DHP150N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHP150N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 356 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для DHP150N03

   - подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHP150N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1346K  cn wxdh
 dhp150n03.pdf pdf_icon

DHP150N03

DHP150N03100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDHP150N03 Is N-channel enhanced vdmosfet used2 DV = 35VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with theR = 3.6mDS(on) (TYP)GRoHS standard.1I = 100AD3 S2 Features Fast switching Low on resistance(Rdson5.5m) Low gate

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.