DHP150N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHP150N03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 356 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHP150N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHP150N03 даташит

 ..1. Size:1346K  cn wxdh
 dhp150n03.pdf pdf_icon

DHP150N03

DHP150N03 100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description DHP150N03 Is N-channel enhanced vdmosfet used 2 D V = 35V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the R = 3.6m DS(on) (TYP) G RoHS standard. 1 I = 100A D 3 S 2 Features Fast switching Low on resistance(Rdson 5.5m ) Low gate

Другие IGBT... DHI90N045R, DHI90N055R, DHI9Z24, DHISJ11N65, DHISJ13N65, DHISJ17N65, DHIZ24B31, DHP035N04, SKD502T, DHP50P04, DHS008N04P, DHS010N04U, DHS015N06, DHS015N06E, DHS020N04, DHS020N04B, DH081N03E