Справочник MOSFET. DHP150N03

 

DHP150N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHP150N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 53.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 356 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для DHP150N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHP150N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1346K  cn wxdh
 dhp150n03.pdf pdf_icon

DHP150N03

DHP150N03100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDHP150N03 Is N-channel enhanced vdmosfet used2 DV = 35VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with theR = 3.6mDS(on) (TYP)GRoHS standard.1I = 100AD3 S2 Features Fast switching Low on resistance(Rdson5.5m) Low gate

Другие MOSFET... DHI90N045R , DHI90N055R , DHI9Z24 , DHISJ11N65 , DHISJ13N65 , DHISJ17N65 , DHIZ24B31 , DHP035N04 , IRF9540N , DHP50P04 , DHS008N04P , DHS010N04U , DHS015N06 , DHS015N06E , DHS020N04 , DHS020N04B , DH081N03E .

History: AP18T10GH | DHS015N06E | IAUC100N10S5L040 | US5U1 | STT3418 | STP30NS15LFP | 2SK3199

 

 
Back to Top

 


 
.