DHS015N06E Todos los transistores

 

DHS015N06E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHS015N06E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 136 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2920 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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DHS015N06E Datasheet (PDF)

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 dhs015n06 dhs015n06e.pdf pdf_icon

DHS015N06E

DHS015N06&DHS015N06E180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power MOSFETV = 60VDS2 Dutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichR = 1.8mTO-220DS(on) (TYP)provides excellent Rdson and low Gate charge at the sametime. Which accords with the RoHS standard.GR = 1.6mTO-263DS(on) (TYP)1I

 9.1. Size:1371K  cn wxdh
 dhs010n04u.pdf pdf_icon

DHS015N06E

DHS010N04U40V/0.8m/300A N-MOSFETFeatures Key Parameters Low on resistance VDS 40V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 0.8m 100% single pulse avalanche energy test IDSilicon limit 426A 100% VDS test IDPackage limit 300A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Ciss@10V 9864pFQgd 26nCApplications Power switching applications

Otros transistores... DHISJ17N65 , DHIZ24B31 , DHP035N04 , DHP150N03 , DHP50P04 , DHS008N04P , DHS010N04U , DHS015N06 , 4435 , DHS020N04 , DHS020N04B , DH081N03E , DH081N03F , DH081N03I , DH850N10I , DH85N08 , DH90N045R .

 

 
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