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DH90N045R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH90N045R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 98 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 652 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DH90N045R

 

Principales características: DH90N045R

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DH90N045R

DH90N045R/DHF90N045R/DHI90N045R DHE90N045R/DHB90N045R/DHD90N045R 120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 98V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.6m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 120A D 2 Feature

 8.1. Size:1181K  cn wxdh
 dh90n055r dhf90n055r dhi90n055r dhe90n055r.pdf pdf_icon

DH90N045R

DH90N055R/DHF90N055R/ DHI90N055R/DHE90N055R 120A 90V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 90V DSS advanced splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 5.5m DS(on) (TYP) G standard. 1 I = 120A 3 S D 2 Features Fast switching Lo

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