DHB16N06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHB16N06  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 123 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 607 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: TO251

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DHB16N06 datasheet

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DHB16N06

DH16N06/DHF16N06/DHI16N06/ DHE16N06/DHB16N06/DHD16N06 61A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs Used by the 2 D VDSS = 60V self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and RDS = 16m (on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. ID = 61A 3

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