DHB16N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHB16N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 607 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHB16N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHB16N06 даташит

 ..1. Size:1349K  cn wxdh
 dh16n06 dhf16n06 dhi16n06 dhe16n06 dhb16n06 dhd16n06.pdf pdf_icon

DHB16N06

DH16N06/DHF16N06/DHI16N06/ DHE16N06/DHB16N06/DHD16N06 61A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs Used by the 2 D VDSS = 60V self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and RDS = 16m (on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. ID = 61A 3

Другие IGBT... DH081N03I, DH850N10I, DH85N08, DH90N045R, DH90N055R, DH9Z24, DHB035N04, DHB100N03B13, 4N60, DHB3205A, DHB3N90, DHB50N03, DHB50N06FZC, DHB80N08B22, DH066N06, DH066N06D, DH066N06E