DHDZ24B31 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DHDZ24B31
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 92.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DHDZ24B31
Principales características: DHDZ24B31
dhz24b31 dhfz24b31 dhiz24b31 dhez24b31 dhbz24b31 dhdz24b31.pdf
DHZ24B31/DHFZ24B31/DHIZ24B31/ DHEZ24B31/DHBZ24B31/DHDZ24B31 30A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 24m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 30A D 2 Features Low on resist
Otros transistores... DHD7N65 , DHD80N03 , DHD80N08 , DHD9Z24 , DHDSJ11N65 , DHDSJ13N65 , DHDSJ5N65 , DHDSJ7N65 , IRF9640 , DHE029N08 , DHE035N04 , DHE100N03B13 , DHE10H035R , DHE10H037R , DHE16N06 , DHE3205A , DHE3N90 .
History: AGMH6018C
History: AGMH6018C
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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