DHDZ24B31 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHDZ24B31  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 92.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO252

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DHDZ24B31 datasheet

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 dhz24b31 dhfz24b31 dhiz24b31 dhez24b31 dhbz24b31 dhdz24b31.pdf pdf_icon

DHDZ24B31

DHZ24B31/DHFZ24B31/DHIZ24B31/ DHEZ24B31/DHBZ24B31/DHDZ24B31 30A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 24m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 30A D 2 Features Low on resist

Otros transistores... DHD7N65, DHD80N03, DHD80N08, DHD9Z24, DHDSJ11N65, DHDSJ13N65, DHDSJ5N65, DHDSJ7N65, IRF9640, DHE029N08, DHE035N04, DHE100N03B13, DHE10H035R, DHE10H037R, DHE16N06, DHE3205A, DHE3N90