DHDZ24B31 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DHDZ24B31
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 22.4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 92.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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DHDZ24B31 Datasheet (PDF)
dhz24b31 dhfz24b31 dhiz24b31 dhez24b31 dhbz24b31 dhdz24b31.pdf

DHZ24B31/DHFZ24B31/DHIZ24B31/DHEZ24B31/DHBZ24B31/DHDZ24B3130A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 24mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 30AD2 Features Low on resist
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