DHI50N06FZC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DHI50N06FZC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 608 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DHI50N06FZC
Principales características: DHI50N06FZC
dh50n15 dhf50n15 dhi50n15 dhe50n15.pdf
DH50N15/DHF50N15/ DHI50N15/DHE50N15 50A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets. used 2 D V = 150V DSS advanced trench process technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the R = 18m DS(on) (Type) G RoHS standard. 1 I = 50A 3 S D 2 Features Low on resistance Low
Otros transistores... DHI029N08 , DHI035N04 , DHI100N03B13 , DHI10H035R , DHI10H037R , DHI16N06 , DHI3205A , DHI3N90 , IRF540 , DHI50N15 , DHI8004 , DHI80N08B22 , DHI8290 , DHI85N08 , DHD8290 , DHD90N03B17 , DHD50N06FZC .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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