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DJC070N60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DJC070N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 272 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DJC070N60F

 

Principales características: DJC070N60F

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DJC070N60F

DJC070N60F 42A 600V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is using advanced 2 D V = 600V DSS super junction technology and design to provide excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the R = 61m DS(on) (TYP) G RoHS standard. 1 I = 42A 3 S D 2 Features Fast Recovery Time Low on resistance Low gate c

 6.1. Size:960K  cn wxdh
 djc070n65m2.pdf pdf_icon

DJC070N60F

DJC070N65M2 70A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description This N-channel enhanced vdmosfets, is using advanced super junction technology and design to provide excellent 2 D V = 650V DSS Rds(on) with low gate charge. Which accords with the R =63m DS(on) (TYP) G RoHS standard. 1 I = 70A D 3 S 2 Features Fast switching Low on resistance

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History: SSD40P04-20D | SSH40N20A | SSA47N60SFD | H5N3005LM | SSD20P06-135D | SSH4N80AS

 

 
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