DJC070N60F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DJC070N60F  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 272 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO247

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DJC070N60F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DJC070N60F datasheet

 ..1. Size:1250K  cn wxdh
djc070n60f.pdf pdf_icon

DJC070N60F

DJC070N60F 42A 600V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is using advanced 2 D V = 600V DSS super junction technology and design to provide excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the R = 61m DS(on) (TYP) G RoHS standard. 1 I = 42A 3 S D 2 Features Fast Recovery Time Low on resistance Low gate c

 6.1. Size:960K  cn wxdh
djc070n65m2.pdf pdf_icon

DJC070N60F

DJC070N65M2 70A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description This N-channel enhanced vdmosfets, is using advanced super junction technology and design to provide excellent 2 D V = 650V DSS Rds(on) with low gate charge. Which accords with the R =63m DS(on) (TYP) G RoHS standard. 1 I = 70A D 3 S 2 Features Fast switching Low on resistance

Otros transistores... ED120N10ZR, EN6005, F10N50, F10N60, F10N70, F10N80, F110N04, DHZ24B31, AON7410, DJC070N65M2, DJD380N65T, DJD420N70T, DJF380N65T, DJF420N70T, DSB150N10L3, DSB190N10L3, DSD040N08N3A