DSB190N10L3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSB190N10L3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 281 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: TO251

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DSB190N10L3 datasheet

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DSB190N10L3

DSD190N10L3&DSB190N10L3 100V/15m /50A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 15m ID 100% single pulse avalanche energy test 50A Ciss@10V 100% VDS test 1076pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 2nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery M

Otros transistores... DHZ24B31, DJC070N60F, DJC070N65M2, DJD380N65T, DJD420N70T, DJF380N65T, DJF420N70T, DSB150N10L3, CS150N03A8, DSD040N08N3A, DSD065N04LA, DSD065N10L3A, DSD090N10L3A, DSD150N10L3, DSD190N10L3, DSD270N12N3, DHS110N15