Справочник MOSFET. DSB190N10L3

 

DSB190N10L3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSB190N10L3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для DSB190N10L3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSB190N10L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1304K  cn wxdh
 dsd190n10l3 dsb190n10l3.pdf pdf_icon

DSB190N10L3

DSD190N10L3&DSB190N10L3 100V/15m/50A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 100VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 15mID 100% single pulse avalanche energy test 50ACiss@10V 100% VDS test 1076pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 2nCApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery M

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.