DSD065N10L3A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSD065N10L3A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 713 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de DSD065N10L3A MOSFET
DSD065N10L3A Datasheet (PDF)
dsd065n10l3a.pdf

DSD065N10L3A100V/5.5m/100A N-MOSFETFeatures Key Parameters AEC-Q101 qualified VDS 100V Low on resistance RDS(on)typ. 5.5m Low reverse transfer capacitances ID 100A 100% single pulse avalanche energy test Vth 1.7V 100% VDS test Ciss@10V 2690pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 12nCApplications Motor Control and Drive Charge/Di
dsd065n04la.pdf

DSD065N04LA40V/5.5m/82A N-MOSFETFeatures Key Parameters AEC-Q101 qualified VDS 40V Low on resistance RDS(on)typ. 5.5m Low reverse transfer capacitances ID 82A 100% single pulse avalanche energy test VTH 1.7V 100% VDS test Ciss@10V 901pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 1nCApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge
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History: IXFN48N50U3
History: IXFN48N50U3



Liste
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