Справочник MOSFET. DSD065N10L3A

 

DSD065N10L3A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSD065N10L3A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 713 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DSD065N10L3A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSD065N10L3A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1269K  cn wxdh
 dsd065n10l3a.pdf pdf_icon

DSD065N10L3A

DSD065N10L3A100V/5.5m/100A N-MOSFETFeatures Key Parameters AEC-Q101 qualified VDS 100V Low on resistance RDS(on)typ. 5.5m Low reverse transfer capacitances ID 100A 100% single pulse avalanche energy test Vth 1.7V 100% VDS test Ciss@10V 2690pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 12nCApplications Motor Control and Drive Charge/Di

 7.1. Size:1263K  cn wxdh
 dsd065n04la.pdf pdf_icon

DSD065N10L3A

DSD065N04LA40V/5.5m/82A N-MOSFETFeatures Key Parameters AEC-Q101 qualified VDS 40V Low on resistance RDS(on)typ. 5.5m Low reverse transfer capacitances ID 82A 100% single pulse avalanche energy test VTH 1.7V 100% VDS test Ciss@10V 901pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 1nCApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.