DSD065N10L3A - аналоги и даташиты транзистора

 

DSD065N10L3A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DSD065N10L3A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 713 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DSD065N10L3A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSD065N10L3A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1269K  cn wxdh
 dsd065n10l3a.pdf pdf_icon

DSD065N10L3A

DSD065N10L3A100V/5.5m/100A N-MOSFETFeatures Key Parameters AEC-Q101 qualified VDS 100V Low on resistance RDS(on)typ. 5.5m Low reverse transfer capacitances ID 100A 100% single pulse avalanche energy test Vth 1.7V 100% VDS test Ciss@10V 2690pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 12nCApplications Motor Control and Drive Charge/Di

 7.1. Size:1263K  cn wxdh
 dsd065n04la.pdf pdf_icon

DSD065N10L3A

DSD065N04LA40V/5.5m/82A N-MOSFETFeatures Key Parameters AEC-Q101 qualified VDS 40V Low on resistance RDS(on)typ. 5.5m Low reverse transfer capacitances ID 82A 100% single pulse avalanche energy test VTH 1.7V 100% VDS test Ciss@10V 901pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 1nCApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge

Другие MOSFET... DJD380N65T , DJD420N70T , DJF380N65T , DJF420N70T , DSB150N10L3 , DSB190N10L3 , DSD040N08N3A , DSD065N04LA , 20N50 , DSD090N10L3A , DSD150N10L3 , DSD190N10L3 , DSD270N12N3 , DHS110N15 , DHS110N15D , DHS110N15E , DHS110N15F .

 

 
Back to Top

 


 
.