DHS110N15F Todos los transistores

 

DHS110N15F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHS110N15F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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DHS110N15F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1288K  cn wxdh
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DHS110N15F

DHS110N15F150V/9.5m/52A N-MOSFETFeatures Key Parameters Low on resistance VDS 150V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 9.5m 100% single pulse avalanche energy test ID 52A 100% VDS test VTH 3V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Ciss@10V 3863pFQgd 5nCApplications Power switching applications DC-DC converters Full bridge

 5.1. Size:883K  cn wxdh
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DHS110N15F

DHS110N15D85A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets. used2 DV = 150VDSSadvanced trench process technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords with theR = 13mDS(on) (Type)GRoHS standard.1I = 85A3 S D2 Features Low on resistance Low gate charge High ava

 5.2. Size:1239K  cn wxdh
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DHS110N15F

DHS110N15/DHS110N15E90A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power MOSFET utilizesV = 150VDSS2 Dadvanced Split Gate Trench technology, which providesR = 9.7m220DS(on) (Type)excellent Rdson and low Gate charge at the same time.G R = 9.4m263DS(on) (Type)Which accords with the RoHS standard.1I = 90A

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