DHS110N15F datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DHS110N15F 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
Тип корпуса: TO220F
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для DHS110N15F
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DHS110N15F даташит
dhs110n15f.pdf
DHS110N15F 150V/9.5m /52A N-MOSFET Features Key Parameters Low on resistance VDS 150V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 9.5m 100% single pulse avalanche energy test ID 52A 100% VDS test VTH 3V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Ciss@10V 3863pF Qgd 5nC Applications Power switching applications DC-DC converters Full bridge
dhs110n15d.pdf
DHS110N15D 85A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets. used 2 D V = 150V DSS advanced trench process technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the R = 13m DS(on) (Type) G RoHS standard. 1 I = 85A 3 S D 2 Features Low on resistance Low gate charge High ava
dhs110n15 dhs110n15e.pdf
DHS110N15/DHS110N15E 90A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power MOSFET utilizes V = 150V DSS 2 D advanced Split Gate Trench technology, which provides R = 9.7m 220 DS(on) (Type) excellent Rdson and low Gate charge at the same time. G R = 9.4m 263 DS(on) (Type) Which accords with the RoHS standard. 1 I = 90A
Другие IGBT... DSD065N10L3A, DSD090N10L3A, DSD150N10L3, DSD190N10L3, DSD270N12N3, DHS110N15, DHS110N15D, DHS110N15E, 2SK3568, DHS130N06B, DHS130N06D, DHS160N100B, DHS160N100D, DHS180N10L, DHS180N10LB, DHS180N10LD, DHS180N10LE
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor



