DHS400N10D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DHS400N10D 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
Encapsulados: TO252
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DHS400N10D datasheet
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History: SSM4953M | IXTU4N60P | IXTQ32P20T | PDD3908 | AP4604I | DTJ018N04N | AP4606C
🌐 : EN ES РУ
Liste
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MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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