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DTG018N04N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTG018N04N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 273 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1204 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DTG018N04N

 

Principales características: DTG018N04N

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DTG018N04N

DTG018N04N/DTJ018N04N 180A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent V = 40V DSS 2 D Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 1.5m DS(on) (TO-220)TYP standard. G R = 1.5m DS(on) (TO-262)TYP 1 I = 300A D Silicon limited 3 S 2 Featur

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