DTG045N04NA Todos los transistores

 

DTG045N04NA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTG045N04NA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 163 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 59 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 347 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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DTG045N04NA Datasheet (PDF)

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 dtg045n04na dte043n04na.pdf pdf_icon

DTG045N04NA

DTG045N04NA&DTE043N04NA120A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 3.8mTo-220DS(on) (TYP)Gstandard.1R = 3.6mTo-263DS(on) (TYP)3 S2 FeaturesI = 120AD

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