Справочник MOSFET. DTG045N04NA

 

DTG045N04NA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DTG045N04NA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 163 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 347 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DTG045N04NA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DTG045N04NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:920K  cn wxdh
 dtg045n04na dte043n04na.pdf pdf_icon

DTG045N04NA

DTG045N04NA&DTE043N04NA120A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 3.8mTo-220DS(on) (TYP)Gstandard.1R = 3.6mTo-263DS(on) (TYP)3 S2 FeaturesI = 120AD

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: F25N10

 

 
Back to Top

 


 
.