F14N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F14N65  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO220F

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F14N65 datasheet

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F14N65

F14N65 14A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-aligned V DSS = 650V planar technology which reduce the conduction loss, improve switching I = 14.0A D performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. TO-220F provides insulation voltage rated at 2000V R DS(on) TYP)

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F14N65

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F14N65

SMF14N65 650V N-Channnel MOSFET Features 14A, 650V, R =0.6 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

 9.1. Size:373K  bruckewell
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F14N65

MSF14N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS14N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Sim

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